Porphyromonas gingivalis 於不同表面處理之植體支台附著情形

植牙的發展使得牙科治療踏向了新的里程碑。現今植體骨整合的發展已趨成熟，越來越多的研究開始探討贋復物的併發症。其中，植體周圍炎會影響植牙的存活率，一直是植牙治療所擔心發生的併發症。植體周圍炎的成因中，細菌之附著扮演相當重要的角色，Porphyromonas gingivalis 更是造成植體周圍軟硬組織破壞的主要菌種之一。本實驗之目的在於探討水雷射(Er:YAG)與輝光射頻放電(glow discharge plasma)處理之鈦
金屬與氧化鋯表面，對菌斑附著的影響。
實驗方法以菌落濃度(Ccolony-forming unit)為10-6 之P. gingivalis 液，覆蓋於鈦金屬與氧化鋯樣本上，培養於37℃之無氧燭缸，比較接受Er:YAG 雷射、輝光射頻放電、與一般高溫高壓滅菌樣本，其表面在菌斑生長的OD 值在不同時間點的差異。另外，本實驗亦探討各樣本接受輝光射頻放電處理後，表面粗糙度之不同，藉此分析對於菌斑附著的影響。
實驗結果方面，經由輝光射頻鈦金屬，表面粗糙度為0.092±0.006μm，
相較於控制組鈦金屬(0.167±0.004μm)及Er:YAG 處理之鈦金屬
(0.172±0.005μm)，其表面明顯光滑(p<0.05)。樣本表面細菌附著方面，在第一天與第三天，輝光射頻放電處理之鈦金屬相較控制組之鈦金屬及水雷射處理之鈦金屬，有較少量之菌落堆積。在氧化鋯方面，輝光射頻放電處理後氧化鋯表面粗糙度為0.096±0.004μm，亦較控制組氧化鋯(0.187±0.005μm)與Er:YAG 處理之氧化鋯(0.168±0.004μm)表面光滑。樣本表面之菌斑在第四天時有顯著差異。
本實驗之結論是以Er:YAG 治療植體周圍炎，對於植體支台於P. gingivalis 之抗菌性並未產生負面影響。而以輝光射頻放電處理之樣本，不論是鈦金屬或氧化鋯，其表面皆較控制組樣本更不容易受菌斑附著。輝光射頻放電處理之樣本可得到較低之表面粗糙度，表面粗糙度越低，菌斑便越不容易附著。